Перегляд за автором "Mironov, O.A."

Результати 1-6 з 6

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties

Berkutov, I.B.; Andrievskii, V.V.; Komnik, Y.F.; Mironov, O.A. (Физика низких температур, 2017)

Multisubband transport of the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure has been investigated by means of magnetotransport measurements at low temperatures and high magnetic fields. Two frequency Shubnikov–de Haas ...
Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination

Berkutov, I.B.; Andrievskii, V.V.; Komnik, Yu.F.; Kolesnichenko, Yu.A.; Morris, R.J.H.; Leadley, D.R.; Mironov, O.A. (Физика низких температур, 2012)

The Shubnikov–de Haas oscillations method of the effective mass extraction was illustrated by the magnetotransport properties investigation of two-dimensional hole gas in Si₁₋xGex (x = 0.13, 0.36, 0.95, 0.98) QWs. We have ...
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures

Berkutov, I.B.; Andrievskii, V.V.; Komnik, Yu.F.; Myronov, M.; Mironov, O.A. (Физика низких температур, 2008)

The effect of the charge carriers overheating in a two-dimensional (2D) hole gas in a Si1–xGex quantum well, where x = 0.13; 0.36; 0.8, 0.95, has been realized. The Shubnikov–de Haas (SdH) oscillation amplitude was used ...
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures

Dugaev, V.K.; Mironov, O.A.; Kosyachenko, S.V. (Condensed Matter Physics, 2000)

We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation ...
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied

Berkutov, I.B.; Andrievskii, V.V.; Kolesnichenko, Yu.A.; Komnik, Yu.F.; Mironov, O.A. (Физика низких температур, 2018)

The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si₀.₄Ge₀.₆/Ge/Si₀.₄Ge₀.₆ heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time τh-ph at weak magnetic fields ...
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe

Беркутов, И.Б.; Комник, Ю.Ф.; Андриевский, В.В.; Mironov, O.A.; Myronov, M.; Leadley, D.R. (Физика низких температур, 2006)

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок 5,68⋅10¹¹ см⁻² и их подвижностью ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Mironov, O.A."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Mironov, O.A."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис